四氟化碳是目前微電子工業中周量大的等離子體蝕刻氣體，廣泛用于硅、二氧化硅等薄膜村料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術等方面也有大量應用。而四氟化碳又是一種很重要的溫室氣體，在生產和使用過程中，通過擴散并釋放到大氣中，破壞臭氧層。四氟化碳氣體標準物質是在溫室氣體監測中進行化學量值傳遞的重要組成部分，對我國環境科學及經濟發展具有重要的意義。四氟化碳標準氣體還可以應用于三氟化氮、六氟化鎢等特種氣體分析檢測過程中，為提高特種氣體的純度，增強國際市場競爭力，提供計量基礎。

 

     其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

 

    在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。

 

　　由于化學穩定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。

 

　　四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。